DLPCA-200 是一款可變增益、低噪聲跨阻放大器，可將飛安 (fA) 級微電流轉換為穩定的電壓信號。它具有 103 至 1011 V/A 的寬增益范圍和低至 4.3 fA/√Hz 的超低噪聲設計，可在任何需要精確電流測量的研究環境中提供可靠的數據。所有這些功能都集成在一個堅固緊湊的 EMI 屏蔽外殼中，該外殼的設計充分考慮了用戶需求，即使在非常惡劣和嘈雜的環境中也能保證運行。
技術規格
| Model | DLPCA-200 | |||||||||||||
| Performance Range | Low Noise | High Speed | ||||||||||||
| Transimpedance [V/A] | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 1010 | 1011 |
| Bandwidtd (?3 dB) [kHz] | 500 | 500 | 400 | 200 | 50 | 7 | 1.1 | 500 | 500 | 400 | 200 | 50 | 7 | 1.1 |
| Rise Time (10 % - 90 %) | 700 ns | 700 ns | 900 ns | 1.8 µs | 7 µs | 50 µs | 300 µs | 700 ns | 700 ns | 900 ns | 1.8 µs | 7 µs | 50 µs | 300 µs |
| Equ. Input Noise [/√Hz] | 20 pA | 2.3 pA | 450 fA | 130 fA | 43 fA | 13 fA | 4.3 fA | 13 pA | 1.8 pA | 440 fA | 130 fA | 43 fA | 13 fA | 4.3 fA |
| Accuracy Performance | Gain ±1 %, flatness 0.1 dB | |||||||||||||
| Low Pass Filter | Switchable to 10 Hz | |||||||||||||
| Output | ±10 V, ±30 mA | |||||||||||||
| Bias Voltage | ±10 V, max. 22 mA, connected to shield of BNC input socket, switchable to GND | |||||||||||||
| Power Requirements | ±15 V, +120 mA / ?80 mA typ., ±200 mA recommended | |||||||||||||
| Control Interface | 5 opto-isolated digital inputs, TTL/CMOS compatible, analog offset control voltage input | |||||||||||||
| Case | 170 x 60 x 45 mm (L x W x H), Weight 320 g (0.74 lb.) | |||||||||||||
失調可通過微調電位器或外部控制電壓調節，具備 LED 過載指示、輸入 ±3 kV 瞬態保護、輸出短路保護功能，采用 3 針 Lemo® 插座供電并配有配套連接器，可選配 PS-15 電源，詳情請查閱產品手冊或聯系 FEMTO。
應用案例
Single-shot carrier-envelope-phase measurement in ambient air
光電流信號通過兩臺可變增益電流 - 電壓跨阻放大器(DLPCA?200，FEMTO)進行前置放大，并與兩臺以激光重復頻率觸發的門控 Boxcar 積分器(SR250，Stanford Research Systems)進行積分。積分后的信號經由數據采集卡采集并保存，用于后續處理與分析。
Observation of ionic Coulomb blockade in nanopores
納米孔制備。MoS?納米孔采用以下兩種方法制備：一種是我們近期報道的、基于可控電化學反應(ECR;參考文獻 13)的原子級納米孔制備技術，另一種是電子輻照法(參考文獻 12)。
簡要來說，SiN?薄膜(尺寸 10 µm×10 µm～50 µm×50 µm，厚度 20 nm)通過 KOH 濕法刻蝕制備。利用聚焦離子束(FIB)輻照在該薄膜上刻蝕出 50–300 nm 的開孔。通過 MoS?轉移平臺將 CVD 生長的單層 MoS?薄膜(參考文獻 30)從藍寶石襯底轉移并懸置在 FIB 開孔上。
ECR 實驗通過對薄膜施加階躍式跨膜電位，并使用 FEMTO DLPCA-200 放大器(FEMTO Messtechnik GmbH)監測跨膜離子電流來完成。當電壓超過臨界值(>0.8 V)時形成納米孔。
利用像差校正透射電鏡(TEM)圖像估算孔徑的誤差為 0.1 nm，通過 ECR 成孔法估算的誤差為 0.2 nm(參考文獻 13)。
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